半導體檢測具體可分為哪四個方面
半導體檢測主要是對工藝過程中半導體體內·✘◕、表面和附加其上的介質膜·✘◕、金屬膜·✘◕、多晶矽等結構的特性進行物理·✘◕、化學和電學等性質的測定•◕₪。按照所測定的特性│•↟，這一類檢測可分為四個方面•◕₪。
（1）幾何尺寸與表面形貌的檢測▩☁↟：如晶片·✘◕、外延層·✘◕、介質膜·✘◕、金屬膜以及多晶矽膜等的厚度,雜質擴散層和離子注入層以及腐蝕溝槽等的深度│•↟，電晶體的基區寬度│•↟，晶片的直徑·✘◕、平整度·✘◕、光潔度·✘◕、表面汙染·✘◕、傷痕等│•↟，刻蝕圖形的線條長·✘◕、寬·✘◕、直徑間距·✘◕、套刻精度·✘◕、解析度以及陡直·✘◕、平滑等•◕₪。
（2）
半導體檢測關於成分結構分析▩☁↟：如襯底·✘◕、外延層·✘◕、擴散層和離子注入層的摻雜濃度及其縱向和平面的分佈·✘◕、原始晶片中缺陷的形態·✘◕、密度和分佈│•↟，單晶矽中的氧·✘◕、碳以及各種重金屬的含量│•↟，在經過各種工藝步驟前後半導體內的缺陷和雜質的分佈演變│•↟，介質膜的基本成分·✘◕、含雜量和分佈·✘◕、緻密度·✘◕、針孔密度和分佈·✘◕、金屬膜的成分│•↟，各步工藝前後的表面吸附和沾汙等•◕₪。
（3）電學特性▩☁↟：如襯底材料的導電型別·✘◕、電阻率·✘◕、少數載流子壽命·✘◕、擴散或離子注入層的導電型別與薄層電阻·✘◕、介質層的擊穿電壓·✘◕、氧化層中的電荷和介面態·✘◕、金屬膜的薄層電阻·✘◕、透過氧化層臺階的金屬條電阻·✘◕、金屬—氧化物—半導體電晶體特性等•◕₪。
（4）半導體檢測關於裝配和封裝的工藝檢測▩☁↟：如鍵合強度和密封效能及其失效率等•◕₪。
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