半導體檢測具體可分為哪四個方面
半導體檢測主要是對工藝過程中半導體體內╃◕·、表面和附加其上的介質膜╃◕·、金屬膜╃◕·、多晶矽等結構的特性進行物理╃◕·、化學和電學等性質的測定◕☁₪。按照所測定的特性·☁，這一類檢測可分為四個方面◕☁₪。
（1）幾何尺寸與表面形貌的檢測✘••▩·：如晶片╃◕·、外延層╃◕·、介質膜╃◕·、金屬膜以及多晶矽膜等的厚度,雜質擴散層和離子注入層以及腐蝕溝槽等的深度·☁，電晶體的基區寬度·☁，晶片的直徑╃◕·、平整度╃◕·、光潔度╃◕·、表面汙染╃◕·、傷痕等·☁，刻蝕圖形的線條長╃◕·、寬╃◕·、直徑間距╃◕·、套刻精度╃◕·、解析度以及陡直╃◕·、平滑等◕☁₪。
（2）
半導體檢測關於成分結構分析✘••▩·：如襯底╃◕·、外延層╃◕·、擴散層和離子注入層的摻雜濃度及其縱向和平面的分佈╃◕·、原始晶片中缺陷的形態╃◕·、密度和分佈·☁，單晶矽中的氧╃◕·、碳以及各種重金屬的含量·☁，在經過各種工藝步驟前後半導體內的缺陷和雜質的分佈演變·☁，介質膜的基本成分╃◕·、含雜量和分佈╃◕·、緻密度╃◕·、針孔密度和分佈╃◕·、金屬膜的成分·☁，各步工藝前後的表面吸附和沾汙等◕☁₪。
（3）電學特性✘••▩·：如襯底材料的導電型別╃◕·、電阻率╃◕·、少數載流子壽命╃◕·、擴散或離子注入層的導電型別與薄層電阻╃◕·、介質層的擊穿電壓╃◕·、氧化層中的電荷和介面態╃◕·、金屬膜的薄層電阻╃◕·、透過氧化層臺階的金屬條電阻╃◕·、金屬—氧化物—半導體電晶體特性等◕☁₪。
（4）半導體檢測關於裝配和封裝的工藝檢測✘••▩·：如鍵合強度和密封效能及其失效率等◕☁₪。
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